Imprimir página
IRL510PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
196 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.398 |
| 10+ | $0.398 |
| 25+ | $0.398 |
| 50+ | $0.397 |
| 100+ | $0.397 |
| 500+ | $0.397 |
| 1000+ | $0.397 |
| 2500+ | $0.397 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.40
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRL510PBF
No. Parte Newark97K2385
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id5.6
Resistencia de Activación Rds(on)0.54ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.54
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia43
Disipación de Potencia Pd43W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Los MOSFET de potencia de tercera generación brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo reforzado, baja resistencia y rentabilidad.
- Clasificación dv/dot dinámica
- Clasificado avalancha repetitiva
- Unidad de puerta de nivel lógico
- Temperatura de operación de 175°C
- Conmutación rápida
- Facilidad de paralelismo
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.54ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
5
Disipación de Potencia
43
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
5.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.54
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
Disipación de Potencia Pd
43W
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRL510PBF
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto