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IRLI640GPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 9.9 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRLI640GPBF
No. Parte Newark63J7596
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id9.9
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.18
Resistencia de Activación Rds(on)0.18ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd40W
Voltaje de Prueba Rds(on)5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Diseño de TransistorTO-220FP
Disipación de Potencia40
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.18
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
5
Diseño de Transistor
TO-220FP
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
9.9
Resistencia de Activación Rds(on)
0.18ohm
Disipación de Potencia Pd
40W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
Disipación de Potencia
40
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
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Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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