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SI1539CDL-T1-GE3
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 30 V, 30 V, 700 mA, 700 mA, 0.323 ohm
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI1539CDL-T1-GE3
No. Parte Newark49AM1981
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N700
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P700
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.323
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.323
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N340
Disipación de Potencia de Canal P340
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
700
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.323
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
340
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
700
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.323
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
340
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SI1539CDL-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
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RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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