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SI1553CDL-T1-GE3.
MOSFET Dual, Canal N y P, 20 V, 20 V, 700 mA, 500 mA, 390 mohm
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI1553CDL-T1-GE3.
No. Parte Newark23AC9589
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N y P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Intensidad Drenador Continua Id700mA
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N700
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P500
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente390
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente850
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N340
Disipación de Potencia de Canal P340
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N y P
Intensidad Drenador Continua Id
700mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
500
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
850
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
340
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
700
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
390
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
340
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto