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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2301BDS-T1-E3
No. Parte Newark06J7561
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id2.2
Resistencia de Activación Rds(on)0.1ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.1
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd900mW
Diseño de TransistorTO-236
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente950
Disipación de Potencia900
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SI2301BDS-T1-E3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P TrenchFET® de 2.5VGS con diodo antiparalelo.
- Probado Rg 100%
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.1ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
900mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
950
Núm. de Contactos
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
2.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.1
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
TO-236
Disipación de Potencia
900
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza SI2301BDS-T1-E3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto