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SI2304DDS-T1-GE3.
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 3.6 A, 0.049 ohm, TO-236, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2304DDS-T1-GE3.
No. Parte Newark26AC3313
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id3.6A
Resistencia de Activación Rds(on)0.049ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.049ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd1.1W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Diseño de TransistorTO-236
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2V
Disipación de Potencia1.1W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.049ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2V
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
3.6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.049ohm
Disipación de Potencia Pd
1.1W
Diseño de Transistor
TO-236
Disipación de Potencia
1.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
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