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SI2309CDS-T1-GE3.
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 1.6 A, 0.285 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2309CDS-T1-GE3.
No. Parte Newark28AC2125
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id1.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.285
Resistencia de Activación Rds(on)0.285ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd1.7W
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia1.7
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.285
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.7W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
1.6
Resistencia de Activación Rds(on)
0.285ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
1.7
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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