Imprimir página
SI2319DS-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 3 A, 0.082 ohm, TO-236, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
236,141 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.223 |
| 25+ | $0.223 |
| 50+ | $0.223 |
| 100+ | $0.223 |
| 250+ | $0.223 |
| 500+ | $0.223 |
| 1000+ | $0.223 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.22
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2319DS-T1-E3
No. Parte Newark06J7581
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.082
Resistencia de Activación Rds(on)0.065ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd750mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Diseño de TransistorTO-236
Disipación de Potencia750
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SI2319DS-T1-E3 es un MOSFET de potencia TrenchFET® de canal P de -40V. El MOSFET de potencia LITTLE FOOT® montado en la superficie utiliza circuitos integrados y paquetes de señales pequeñas que se han modificado para proporcionar las capacidades de transferencia de calor requeridas por los dispositivos de potencia.
- Libre de halógenos según la definición de IEC 61249-2-21
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.082
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
750mW
Diseño de Transistor
TO-236
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
3
Resistencia de Activación Rds(on)
0.065ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
750
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SI2319DS-T1-E3
2 productos encontrados
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto