Imprimir página
SI2323DS-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 4.7 A, 0.039 ohm, TO-236, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2323DS-T1-E3
No. Parte Newark06J7584
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
38,965 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.341 |
| 25+ | $0.341 |
| 50+ | $0.341 |
| 100+ | $0.341 |
| 250+ | $0.341 |
| 500+ | $0.341 |
| 1000+ | $0.341 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.34
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2323DS-T1-E3
No. Parte Newark06J7584
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id4.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.039
Resistencia de Activación Rds(on)0.039ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd1.25W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Diseño de TransistorTO-236
Disipación de Potencia1.25
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SI2323DS-T1-E3 es un MOSFET de potencia TrenchFET® de canal P con disipación de potencia a 1.25W.
- Voltaje de compuerta a fuente de ±8V
- Libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.039
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.25W
Diseño de Transistor
TO-236
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
4.7
Resistencia de Activación Rds(on)
0.039ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
Disipación de Potencia
1.25
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza SI2323DS-T1-E3
2 productos encontrados
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto