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SI2336DS-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 5.2 A, 42 mohm, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2336DS-T1-GE3
No. Parte Newark23T8500
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id5.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente42
Resistencia de Activación Rds(on)0.034ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente400
Disipación de Potencia1.8
Disipación de Potencia Pd1.8W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia TrenchFET® de canal N de 30V (D-S)
- Probado Rg 100%
- Utiliza en convertidores CD-CD, convertidores de refuerzo
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
42
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia
1.8
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
5.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0.034ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
400
Disipación de Potencia Pd
1.8W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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