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SI2337DS-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal P, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, TO-236, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2337DS-T1-E3
No. Parte Newark21M8886
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80
Intensidad Drenador Continua Id2.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.27
Resistencia de Activación Rds(on)0.216ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd2.5W
Voltaje de Prueba Rds(on)6
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Diseño de TransistorTO-236
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SI2337DS-T1-E3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P TrenchFET® de 80VDS con diodo antiparalelo.
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.27
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
6
Diseño de Transistor
TO-236
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
2.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0.216ohm
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SI2337DS-T1-E3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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