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SI3459BDV-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 2.2 A, 0.216 ohm, TSOP, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3459BDV-T1-GE3
No. Parte Newark84R8040
Rango de ProductoSerie TrenchFET
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 500+ | $0.421 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3459BDV-T1-GE3
No. Parte Newark84R8040
Rango de ProductoSerie TrenchFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id2.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.216
Resistencia de Activación Rds(on)0.18ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd2W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Diseño de TransistorTSOP
Disipación de Potencia2
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoSerie TrenchFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.216
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TSOP
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
2.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0.18ohm
Disipación de Potencia Pd
2W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
Serie TrenchFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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