Imprimir página
SI3473DDV-T1-GE3
MOSFET, P-CH, -12V, -8A, 150DEG C, 3.6W
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3473DDV-T1-GE3
No. Parte Newark78AC6538
Rango de ProductoTrenchFET Gen III
Hoja de datos técnicos
Opciones de embalaje
68,125 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.548 |
| 10+ | $0.358 |
| 25+ | $0.294 |
| 50+ | $0.229 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$2.74
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3473DDV-T1-GE3
No. Parte Newark78AC6538
Rango de ProductoTrenchFET Gen III
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12V
Intensidad Drenador Continua Id8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0145ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia3.6W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen III
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0145ohm
Diseño de Transistor
TSOP
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen III
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
8A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
3.6W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI3473DDV-T1-GE3
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto