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SI4056DY-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 11.1 A, 23 mohm, SOIC, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4056DY-T1-GE3
No. Parte Newark19X1959
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id11.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente23
Resistencia de Activación Rds(on)0.017ohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5
Disipación de Potencia Pd5.7W
Disipación de Potencia5.7
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia TrenchFET® de canal N de 100V (D-S)
- 100% probados Rg y UIS
- Utilizado en interruptor lateral primario CD/CD, telecomunicaciones/servidor, rectificación síncrona industrial
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
23
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
5.7W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
11.1
Resistencia de Activación Rds(on)
0.017ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5
Disipación de Potencia
5.7
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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