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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4401DDY-T1-GE3
No. Parte Newark97W2651
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id16.1A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.018ohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2V
Disipación de Potencia6.3W
Núm. de Contactos8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2V
Núm. de Contactos
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
16.1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.018ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
6.3W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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