Imprimir página
SI4425DDY-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 19.7 A, 0.0098 ohm, SOIC, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
958 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.030 |
| 10+ | $0.994 |
| 25+ | $0.920 |
| 50+ | $0.846 |
| 100+ | $0.772 |
| 500+ | $0.660 |
| 1000+ | $0.609 |
| 2500+ | $0.562 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.03
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4425DDY-T1-GE3
No. Parte Newark55R1922
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id19.7
Resistencia de Activación Rds(on)0.0081ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0098ohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd5.7W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2
Disipación de Potencia5.7
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SI4425DDY-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P TrenchFET® de 30VDS adecuado para aplicaciones de interruptor de carga.
- Probado Rg 100%
- Libre de halógenos
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
19.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0098ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
5.7W
Disipación de Potencia
5.7
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0081ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto