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SI4459ADY-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 29 A, 0.005 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4459ADY-T1-GE3
No. Parte Newark23T8508
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id29
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5000µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0039ohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia Pd7.8W
Disipación de Potencia7.8
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia TrenchFET® de canal P 30V, 29A, en paquete SOIC de 8 pines
- 100 % probados Rg y UIS
- Adecuado para interruptor de adaptador y portátil
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5000µohm
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
7.8W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
29
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0039ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
Disipación de Potencia
7.8
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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