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SI4840BDY-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 19 A, 0.009 ohm, NSOIC, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4840BDY-T1-GE3
No. Parte Newark05W6950
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id19
Resistencia de Activación Rds(on)0.0074ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.009
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd6W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Diseño de TransistorNSOIC
Disipación de Potencia6
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El SI4840BDY-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N TrenchFET® de 40 VDS adecuado para rectificación síncrona, aplicaciones POL y IBC.
- Probado Rg 100%
- Probado UIS 100%
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0074ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
NSOIC
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
19
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.009
Disipación de Potencia Pd
6W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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