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SI5935CDC-T1-GE3.
MOSFET Dual, Doble Canal P, 20 V, 4 A
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI5935CDC-T1-GE3.
No. Parte Newark26AC3339
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalDoble Canal P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N-
Intensidad Drenador Continua Id4A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P4
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente10
Diseño de TransistorChipFET
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N-
Disipación de Potencia de Canal P3.1
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Doble Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
4A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
4
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
10
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
3.1
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
ChipFET
Disipación de Potencia de Canal N
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto