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SI6562CDQ-T1-GE3
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.18 ohm
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI6562CDQ-T1-GE3
No. Parte Newark26T3807
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Intensidad Drenador Continua Id6.7A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6.7A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P6.7A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.18ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.18ohm
Diseño de TransistorTSSOP
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.6W
Disipación de Potencia de Canal P1.6W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Alternativas para el número de pieza SI6562CDQ-T1-GE3
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Resumen del producto
El SI6562CDQ-T1-GE3 es un MOSFET de canal N/P alojado en un paquete de montaje en superficie. Es adecuado para aplicaciones de conmutador de carga y convertidor CD a CD.
- TrenchFET® power MOSFET
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Intensidad Drenador Continua Id
6.7A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
6.7A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.18ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.6W
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6.7A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.18ohm
Diseño de Transistor
TSSOP
Disipación de Potencia de Canal N
1.6W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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