Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Opciones de embalaje
441 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $0.446 |
10+ | $0.446 |
25+ | $0.446 |
50+ | $0.446 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.45
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7101DN-T1-GE3
No. Parte Newark19X1961
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id35
Resistencia de Activación Rds(on)0.0058ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7200µohm
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia Pd52W
Disipación de Potencia52
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza SI7101DN-T1-GE3
6 productos encontrados
Resumen del producto
MOSFET de canal P de 30V (D-S) para uso en interruptor adaptador de computadora portátil, administración de batería de computadora portátil e interruptor de carga.
- TrenchFET® power MOSFET
- Probado Rg 100%
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0058ohm
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
52W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
35
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7200µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
Disipación de Potencia
52
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto