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SI7463ADP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 46 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7463ADP-T1-GE3
No. Parte Newark70AC6513
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id46
Resistencia de Activación Rds(on)0.0083ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.01
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd39W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.3
Disipación de Potencia39
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0083ohm
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Disipación de Potencia Pd
39W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.3
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
46
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.01
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
39
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto