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SI7898DP-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 4.8 A, 85 mohm, SOIC, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7898DP-T1-E3
No. Parte Newark06J8174
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id4.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente85
Resistencia de Activación Rds(on)0.095ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Disipación de Potencia Pd5W
Diseño de TransistorSOIC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SI7898DP-T1-E3 es un MOSFET de potencia en modo N de TrenchFET® de 150 VDS adecuado para aplicaciones de interruptor de lado primario de fuente de alimentación de CD a CD y controlador de motor industrial.
- Nuevo paquete PowerPAK® de baja resistencia térmica con tamaño pequeño y perfil bajo de 1.07 mm
- Optimizado para PWM
- Conmutación rápida
- Probado Rg 100%
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
85
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
4.8
Resistencia de Activación Rds(on)
0.095ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia
5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto