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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI8483DB-T2-E1
No. Parte Newark63W4156
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12
Intensidad Drenador Continua Id16
Resistencia de Activación Rds(on)0.022ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.026ohm
Diseño de TransistorMICRO FOOT
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente800
Disipación de Potencia Pd13W
Disipación de Potencia13
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza SI8483DB-T2-E1
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
MOSFET de 12V (D-S) de canal P adecuado para usar en interruptores de carga para teléfonos inteligentes, tabletas y computadoras móviles.
- TrenchFET® power MOSFET
- Contorno ultrapequeño
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12
Resistencia de Activación Rds(on)
0.022ohm
Diseño de Transistor
MICRO FOOT
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia Pd
13W
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
16
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.026ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
800
Disipación de Potencia
13
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto