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SIA910EDJ-T1-GE3.
MOSFET Dual, Doble Canal N, 12 V, 4.5 A, 2.8 mohm
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIA910EDJ-T1-GE3.
No. Parte Newark30AC0111
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalDoble Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N12
Intensidad Drenador Continua Id4.5A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4.5
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente2.8
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorPowerPAK SC-70
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N7.8
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (19-Jan-2021)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Doble Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
4.5A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
12
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4.5
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
2.8
Diseño de Transistor
PowerPAK SC-70
Disipación de Potencia de Canal N
7.8
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (19-Jan-2021)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):No
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (19-Jan-2021)
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