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SIA923AEDJ-T1-GE3
MOSFET Dual, Canal P, 20 V, 4.5 A
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIA923AEDJ-T1-GE3
No. Parte Newark38X4914
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N-
Intensidad Drenador Continua Id4.5A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P4.5
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.044
Diseño de TransistorPowerPAK SC-70
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N-
Disipación de Potencia de Canal P7.8
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
4.5A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
4.5
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.044
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
7.8
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
PowerPAK SC-70
Disipación de Potencia de Canal N
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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