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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHD11N80AE-GE3
No. Parte Newark81AH9255
Rango de ProductoE
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800V
Intensidad Drenador Continua Id8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.391ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia78W
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoE
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.391ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
E
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
8A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia
78W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto