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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQD40031EL_GE3
No. Parte Newark81AC2811
Rango de ProductoTrenchFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id100A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3200µohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia136W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
TrenchFET
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3200µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
136W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza SQD40031EL_GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto