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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUM60N10-17-E3.
No. Parte Newark26AC4110
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0165
Resistencia de Activación Rds(on)0.013ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd150W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia150
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El SUM60N10-17-E3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N TrenchFET® de 100 VDS adecuado para aplicaciones aisladas de convertidor de CD a CD.
- Probado Rg 100%
- Probado UIS 100%
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 175°C
- Encapsulado de baja resistencia térmica
- Optimizado para PWM
- Conmutación rápida
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0165
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.013ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
150W
Disipación de Potencia
150
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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