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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $115.300 |
| 5+ | $111.150 |
| 10+ | $107.000 |
| 25+ | $101.830 |
| 60+ | $96.920 |
| 120+ | $96.630 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
$115.30
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Información del producto
FabricanteWOLFSPEED
No. Parte FabricanteC2M0045170P
No. Parte Newark61AC7502
Rango de ProductoC2M
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id72A
Resistencia de Activación Rds(on)0.045ohm
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.7kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.045ohm
Diseño de TransistorTO-247 Plus
No. de Pines4Pines
Disipación de Potencia Pd520W
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.6V
Disipación de Potencia520W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoC2M
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
C2M0045170P is a C2M™ silicon carbide, N-channel enhancement mode power MOSFET. applications include solar inverters, switch mode power supplies, high voltage DC/DC converters, motor drive, pulsed power applications.
- 2nd generation SiC MOSFET technology, optimized package with separate driver source pin
- 8mm of creepage distance between drain and source, resistant to latch-up
- High blocking voltage with low on-resistance, high speed switching with low capacitances
- Reduce switching losses and minimize gate ringing
- Higher system efficiency, reduced cooling requirements
- Increased power density, increased system switching frequency
- Drain-source breakdown voltage is 1700V min (VGS = 0V, ID = 100μA, TC = 25°C)
- 3V typical gate threshold voltage (VDS = VGS, ID = 18mA, TC = 25°C)
- 40 ohm typical drain-source on-state resistance at VGS = 20V, ID = 50A, TC = 25°C
- Operating junction temperature range from -40 to 50°C
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Resistencia de Activación Rds(on)
0.045ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.045ohm
No. de Pines
4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
520W
Rango de Producto
C2M
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
72A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.7kV
Diseño de Transistor
TO-247 Plus
Disipación de Potencia Pd
520W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.6V
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto