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C2M0080120D
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 31.6 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
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Información del producto
FabricanteWOLFSPEED
No. Parte FabricanteC2M0080120D
No. Parte Newark12X8365
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id31.6A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.08ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.2V
Disipación de Potencia208W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
3Pines
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
208W
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
31.6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.08ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.2V
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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