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C2M0080120D
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 31.6 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
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| 5+ | $31.150 |
| 10+ | $30.610 |
| 25+ | $25.740 |
| 60+ | $23.020 |
| 120+ | $22.580 |
| 270+ | $22.180 |
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Información del producto
FabricanteWOLFSPEED
No. Parte FabricanteC2M0080120D
No. Parte Newark12X8365
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id31.6
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.08
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.2
Disipación de Potencia208
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.08
No. de Pines
3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
208
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
31.6
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza C2M0080120D
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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