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C3M0065090J
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 35 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
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Información del producto
FabricanteWOLFSPEED
No. Parte FabricanteC3M0065090J
No. Parte Newark98Y6017
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id35A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds900V
Resistencia de Activación Rds(on)0.065ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.065ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd113W
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)15V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.1V
Disipación de Potencia113W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
900V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.065ohm
Disipación de Potencia Pd
113W
Voltaje de Prueba Rds(on)
15V
Disipación de Potencia
113W
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
35A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.065ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.1V
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
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