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IXLF19N250A
IGBT, 32 A, 3.2 V, 250 W, 2.5 kV, ISOPLUS i4-PAC, 3 Pines
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXLF19N250A
No. Parte Newark71AH4563
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXLF19N250A
No. Parte Newark71AH4563
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua32A
Corriente de Colector DC0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor3.2V
Disipación de Potencia250W
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor2.5kV
Diseño de TransistorISOPLUS i4-PAC
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
32A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
250W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Diseño de Transistor
ISOPLUS i4-PAC
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
3.2V
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Colector a Emisor
2.5kV
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto