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Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $6.910 |
10+ | $5.800 |
25+ | $5.440 |
50+ | $5.060 |
100+ | $4.700 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte Fabricante2SK3075(TE12L,Q)
No. Parte Newark08AK8211
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id5
Disipación de Potencia20
Disipación de Potencia Pd0
Frecuencia de Funcionamiento Mín.-
Frecuencia de Funcionamiento Máx.520
Diseño de TransistorSMD
No. de Pines4Pines
Encapsulado de Transistor RF0
Temperatura de Trabajo Máx.150
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Disipación de Potencia
20
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
-
Diseño de Transistor
SMD
Encapsulado de Transistor RF
0
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Intensidad Drenador Continua Id
5
Disipación de Potencia Pd
0
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
520
No. de Pines
4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Montaje de Transistor
Surface Mount
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza 2SK3075(TE12L,Q)
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto