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DMG1016VQ-7
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 20 V, 20 V, 870 mA, 640 mA, 0.4 ohm
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 5 semana(s)
Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG1016VQ-7
No. Parte Newark39AH6590
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Intensidad Drenador Continua Id870mA
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N870
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P640
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.4
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.7
Diseño de TransistorSOT-563
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N530
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Intensidad Drenador Continua Id
870mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
640
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.7
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
870
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.4
Diseño de Transistor
SOT-563
Disipación de Potencia de Canal N
530
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto