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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG1016VQ-7
No. Parte Newark39AH6590
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Intensidad Drenador Continua Id870mA
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N870mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P640mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente400mohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente700mohm
Diseño de TransistorSOT-563
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N530mW
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Intensidad Drenador Continua Id
870mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
640mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
700mohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
870mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
400mohm
Diseño de Transistor
SOT-563
Disipación de Potencia de Canal N
530mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto