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25+ | $0.196 |
50+ | $0.171 |
100+ | $0.146 |
250+ | $0.131 |
500+ | $0.115 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN63D8LV-7
No. Parte Newark82Y6581
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N260mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P260mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente2.8ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente2.8ohm
Diseño de TransistorSOT-563
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N450mW
Disipación de Potencia de Canal P450mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
260mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
2.8ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
450mW
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
260mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
2.8ohm
Diseño de Transistor
SOT-563
Disipación de Potencia de Canal N
450mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza DMN63D8LV-7
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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