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IRF7324TRPBF
MOSFET Dual, Doble Canal P, 20 V, 9 A
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7324TRPBF
No. Parte Newark42Y0410
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001570196
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7324TRPBF
No. Parte Newark42Y0410
Rango de ProductoHEXFET Series
También conocido comoSP001570196
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalDual P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N-
Intensidad Drenador Continua Id9A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P9A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.018ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N-
Disipación de Potencia de Canal P2W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRF7324TRPBF es un MOSFET de potencia HEXFET®. Este rectificador internacional utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con el diseño robusto del dispositivo por el que son bien conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en aplicaciones de administración de carga y batería.
- Tecnología Trench, resistencia ultrabaja
- MOSFET de doble canal P, perfil bajo (<lt/>1.1mm)
- El voltaje de ruptura entre drenaje y fuente es de -20 V (mín., VGS = 0 V, ID = -250 µA)
- Temperatura de tensión de ruptura. El coeficiente es -0.02 V/°C (típico, referencia a 25 °C, ID = -1 mA).
- Resistencia estática de drenaje a fuente de 0.018 ohms (máx., VGS = -4.5V, ID = -9.0A)
- Rango de voltaje de umbral de puerta de -0.45 a -1.0V (VDS = VGS, ID = -250µA)
- La corriente de fuga de drenaje a fuente es -1.0µA (máx., VDS = -16 V, VGS = 0V)
- Carga de puerta total típica de 42 nC (ID = -9.0A)
- Capacitancia de salida de 630pF (típica, VDS = -15V)
- Rango de temperatura de almacenamiento, unión y paquete de SO-8 de -55 a + 150 °C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
9A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
9A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.018ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2W
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza IRF7324TRPBF
1 producto (s) encontrado (s)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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