Imprimir página
IRFP9140NPBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-247AC, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFP9140NPBF
No. Parte Newark63J6897
También conocido comoSP001556802
Hoja de datos técnicos
94 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.240 |
| 10+ | $2.440 |
| 100+ | $1.660 |
| 500+ | $1.330 |
| 1600+ | $1.310 |
| 3200+ | $1.240 |
| 5600+ | $1.210 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.24
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFP9140NPBF
No. Parte Newark63J6897
También conocido comoSP001556802
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id23
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.117
Resistencia de Activación Rds(on)0.117ohm
Diseño de TransistorTO-247AC
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd120W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia120
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRFP9140NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de un solo canal P de -100V, el HEXFET de quinta generación utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo resistente por el que HEXFET power MOSFET es bien conocido, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
- Tecnología de proceso avanzada
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha completa
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.117
Diseño de Transistor
TO-247AC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
23
Resistencia de Activación Rds(on)
0.117ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
120W
Disipación de Potencia
120
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto