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IRFP9140NPBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-247AC, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFP9140NPBF
No. Parte Newark63J6897
También conocido comoSP001556802
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFP9140NPBF
No. Parte Newark63J6897
También conocido comoSP001556802
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id23A
Resistencia de Activación Rds(on)0.117ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.117ohm
Diseño de TransistorTO-247AC
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd120W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia120W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRFP9140NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de un solo canal P de -100V, el HEXFET de quinta generación utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo resistente por el que HEXFET power MOSFET es bien conocido, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
- Tecnología de proceso avanzada
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha completa
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.117ohm
Diseño de Transistor
TO-247AC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
23A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.117ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
120W
Disipación de Potencia
120W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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