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IXBT42N300HV
IGBT, 104 A, 2.5 V, 500 W, 3 kV, TO-268HV, 3 Pines
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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXBT42N300HV
No. Parte Newark29AK0379
Rango de ProductoBiMOSFET Series
Hoja de datos técnicos
60 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $58.060 |
| 5+ | $54.130 |
| 10+ | $50.200 |
| 25+ | $46.270 |
| 50+ | $45.060 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXBT42N300HV
No. Parte Newark29AK0379
Rango de ProductoBiMOSFET Series
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua104
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.5
Disipación de Potencia500
Voltaje Máx. Colector a Emisor3
Diseño de TransistorTO-268HV
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de ProductoBiMOSFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
High voltage BIMOSFET™ monolithic Bipolar MOS transistor suitable for use in laser generators, capacitor discharge circuits, AC switches, protection circuits applications.
- High voltage package
- High blocking voltage
- High peak current capability
- Low saturation voltage
- FBSOA and SCSOA
- High power density
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
104
Disipación de Potencia
500
Diseño de Transistor
TO-268HV
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
BiMOSFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.5
Voltaje Máx. Colector a Emisor
3
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto