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FGA40N65SMD
IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pines
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.740 |
| 10+ | $6.310 |
| 25+ | $5.280 |
| 50+ | $4.240 |
| 100+ | $4.030 |
| 250+ | $3.810 |
| 900+ | $3.750 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFGA40N65SMD
No. Parte Newark54AH8692
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua80A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.9V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia349W
Voltaje Máx. Colector a Emisor650V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Diseño de TransistorTO-3PN
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.9V
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650V
Diseño de Transistor
TO-3PN
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Rango de Producto
-
Corriente del Colector Continua
80A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
349W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Núm. de Contactos
3Pines
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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