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FGAF40N60UFTU
IGBT, Propósito General, 40 A, 2.3 V, 100 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pines
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFGAF40N60UFTU
No. Parte Newark41T0504
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector DC40A
Corriente del Colector Continua40A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)2.3V
Voltaje de Saturación Colector Emisor6.5V
Disipación de Potencia100W
Disipación de Potencia Pd100W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo600V
Voltaje Máx. Colector a Emisor600V
Diseño de TransistorTO-3PF
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El FGAF40N60UFTU es un PT IGBT que proporciona bajas pérdidas de conducción y conmutación. La serie UF está diseñada para aplicaciones como inversores generales y PFC donde la conmutación de alta velocidad es una característica necesaria.
- Conmutación de alta velocidad
- Alta impedancia de entrada
- Voltaje de baja saturación 2.3V @ IC = 20A
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector DC
40A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
2.3V
Disipación de Potencia
100W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
600V
Diseño de Transistor
TO-3PF
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Corriente del Colector Continua
40A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
6.5V
Disipación de Potencia Pd
100W
Voltaje Máx. Colector a Emisor
600V
Núm. de Contactos
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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