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FGH4L50T65SQD
TRANSISTOR, IGBT, 650V, 80A, TO-247 ROHS COMPLIANT: YES
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFGH4L50T65SQD
No. Parte Newark28AK9651
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua80A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.6V
Disipación de Potencia268W
Voltaje Máx. Colector a Emisor650V
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
80A
Disipación de Potencia
268W
Diseño de Transistor
TO-247
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Rango de Producto
-
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.6V
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650V
No. de Pines
4Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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