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MMBD301LT1G.
Diodo Schottky RF, Barrera, Único, 30 V, 200 mA, 600 mV, 0.9 pF, SOT-23
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBD301LT1G.
No. Parte Newark26AC2193
Rango de ProductoSerie MMBD3
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBD301LT1G.
No. Parte Newark26AC2193
Rango de ProductoSerie MMBD3
Configuración de DiodoÚnico
Voltaje Reverso30V
Corriente Directa200mA
Voltaje Directo600mV
Voltaje Directo VF Máx.600mV
Capacitancia del Diodo0.9pF
Estilo de la Carcasa del DiodoSOT-23
Núm. de Pines3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx.125°C
Rango de ProductoSerie MMBD3
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The MMBD301LT1G is a Silicon Hot-carrier Detector and Switching Diode designed primarily for high-efficiency UHF and VHF detector applications. It is readily adaptable to many other fast switching RF and digital applications.
- 15ps Extremely low minority carrier lifetime
- 1.5pF at VR=15V Maximum very low capacitance
- 13nA DC Low reverse leakage IR
- -55 to 125°C Operating junction temperature range
Especificaciones técnicas
Configuración de Diodo
Único
Corriente Directa
200mA
Voltaje Directo VF Máx.
600mV
Estilo de la Carcasa del Diodo
SOT-23
Temperatura de Trabajo Máx.
125°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje Reverso
30V
Voltaje Directo
600mV
Capacitancia del Diodo
0.9pF
Núm. de Pines
3 Pines
Rango de Producto
Serie MMBD3
Documentos técnicos (1)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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