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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMSD301T1G
No. Parte Newark26K4563
Rango de ProductoSerie MMSD3
Hoja de datos técnicos
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semana(s)
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
12000+ | $0.028 |
18000+ | $0.027 |
30000+ | $0.026 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 12000
Múltiple: 3000
$336.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMSD301T1G
No. Parte Newark26K4563
Rango de ProductoSerie MMSD3
Hoja de datos técnicos
Configuración de DiodoÚnico
Voltaje Reverso30
Corriente Directa200
Voltaje Directo600
Voltaje Directo VF Máx.600mV
Capacitancia del Diodo0.9
Estilo de la Carcasa del DiodoSOD-123
Núm. de Pines2 Pines
Montaje del DiodoSurface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.125
Rango de ProductoSerie MMSD3
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The MMSD301T1G is a Schottky Barrier Diode designed for high-efficiency UHF and VHF detector applications. It is readily available to many other fast switching RF and digital applications.
- Extremely low minority carrier lifetime
- Very low capacitance
- Low reverse leakage
- -55 to 125°C Operating junction temperature range
Especificaciones técnicas
Configuración de Diodo
Único
Corriente Directa
200
Voltaje Directo VF Máx.
600mV
Estilo de la Carcasa del Diodo
SOD-123
Montaje del Diodo
Surface Mount
Rango de Producto
Serie MMSD3
Voltaje Reverso
30
Voltaje Directo
600
Capacitancia del Diodo
0.9
Núm. de Pines
2 Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
125
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MMSD301T1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto