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SKM145GAL128DN
Módulo IGBT, 190 A, 1.2 kV, 150 °C, Module
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Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 28 semana(s)
Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM145GAL128DN
No. Parte Newark02M8584
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Configuración IGBT-
Corriente de Colector DC190A
Corriente del Colector Continua190A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.2kV
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.2kV
Disipación de Potencia Pd-
Disipación de Potencia-
Temperatura de Union, Tj Máx.150°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Diseño de TransistorModule
No. de Pines5Pines
Terminación del IGBTPerno
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Tecnología IGBTNPT IGBT [ultrarrápido]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Corriente de Colector DC
190A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.2kV
Disipación de Potencia Pd
-
Temperatura de Union, Tj Máx.
150°C
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
No. de Pines
5Pines
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Configuración IGBT
-
Corriente del Colector Continua
190A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.2kV
Disipación de Potencia
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
Diseño de Transistor
Module
Terminación del IGBT
Perno
Tecnología IGBT
NPT IGBT [ultrarrápido]
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jun-2015)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto