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SKM200GM12T4
Módulo IGBT, 314 A, 1.2 kV, 175 °C
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 26 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 10+ | $195.380 |
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Múltiple: 12
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Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM200GM12T4
No. Parte Newark77R2564
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBT-
Corriente del Colector Continua314A
Corriente de Colector DC314A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.2kV
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.2kV
Disipación de Potencia-
Disipación de Potencia Pd-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo800mV
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Temperatura de Union, Tj Máx.175°C
Diseño de Transistor-
Terminación del IGBTPerno
No. de Pines7Pines
Voltaje Máx. Colector a Emisor800mV
Tecnología IGBTIGBT 4 rápido [zanja]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
-
Corriente de Colector DC
314A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.2kV
Disipación de Potencia Pd
-
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Diseño de Transistor
-
No. de Pines
7Pines
Tecnología IGBT
IGBT 4 rápido [zanja]
Rango de Producto
-
Corriente del Colector Continua
314A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.2kV
Disipación de Potencia
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
800mV
Temperatura de Union, Tj Máx.
175°C
Terminación del IGBT
Perno
Voltaje Máx. Colector a Emisor
800mV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jun-2015)
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