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STGW60H65DFB-4
IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGW60H65DFB-4
No. Parte Newark33AC3217
Rango de ProductoHB
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGW60H65DFB-4
No. Parte Newark33AC3217
Rango de ProductoHB
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua80A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.6V
Disipación de Potencia375W
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Colector a Emisor650V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de ProductoHB
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector DC
0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
375W
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650V
Diseño de Transistor
TO-247
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Rango de Producto
HB
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Corriente del Colector Continua
80A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.6V
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
No. de Pines
4Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto