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STGW75H65DFB2-4
IGBT, 115 A, 1.55 V, 357 W, 650 V, TO-247, 4 Pines
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGW75H65DFB2-4
No. Parte Newark91AH9106
Rango de ProductoHB2
Hoja de datos técnicos
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 23 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $10.050 |
| 10+ | $9.470 |
| 25+ | $8.080 |
| 60+ | $7.760 |
| 120+ | $7.430 |
| 270+ | $7.410 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$10.05
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGW75H65DFB2-4
No. Parte Newark91AH9106
Rango de ProductoHB2
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua115A
Corriente de Colector DC0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.55V
Disipación de Potencia357W
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Colector a Emisor650V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de ProductoHB2
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
115A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
357W
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650V
Diseño de Transistor
TO-247
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Rango de Producto
HB2
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.55V
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
No. de Pines
4Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto