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STGWA75H65DFB2
IGBT, 115 A, 1.55 V, 357 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pines
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGWA75H65DFB2
No. Parte Newark82AH9146
Rango de ProductoHB2
Hoja de datos técnicos
546 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.450 |
| 10+ | $5.480 |
| 25+ | $5.230 |
| 50+ | $4.980 |
| 100+ | $4.730 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGWA75H65DFB2
No. Parte Newark82AH9146
Rango de ProductoHB2
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua115A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.55V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia357W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor650V
Diseño de TransistorTO-247LL
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de ProductoHB2
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector DC
0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Diseño de Transistor
TO-247LL
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Rango de Producto
HB2
Corriente del Colector Continua
115A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.55V
Disipación de Potencia
357W
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650V
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto